前辅文
第一章 晶体-环境相平衡
1.1 无限大相的平衡
1.2 过饱和
1.3 有限相的平衡
1.3.1 拉普拉斯方程
1.3.2 汤姆森-吉布斯方程
1.4 晶体平衡形状
1.4.1 吉布斯-居里-武尔夫定理
1.4.2 表面能的极坐标图
1.4.3 赫灵公式
1.4.4 晶体表面的稳定性
1.5 晶体生长的原子论观点
1.5.1 无限大晶体与环境相的平衡——半晶体位置的概念
1.5.2 平衡有限晶体-环境相——平均分离功的概念
1.5.3 平衡二维晶体-环境相
1.5.4 晶体的平衡形状——原子论方法
1.5.5 二维晶体在异质衬底上的平衡蒸气压
1.6 晶体表面的平衡结构
1.6.1 晶体表面的分类
1.6.2 一个台阶的平衡结构
1.6.3 F面的平衡结构
1.6.4 动力学粗糙
第二章 成核
2.1 热力学
2.1.1 核的同质形成
2.1.2 三维核的异质形成
2.1.3 弹性应变的三维核的异质形成
2.1.4 二维核的形成
2.1.5 在异质衬底上成核的模式
2.2 成核率
2.2.1 一般表述
2.2.2 平衡态
2.2.3 稳态成核率
2.2.4 液体从气相的成核
2.2.5 统计贡献
2.2.6 从溶液和熔融物的成核
2.2.7 异质成核率
2.2.8 二维成核速率
2.2.9 成核的原子理论
2.2.10 非稳态成核
2.2.11 大量结晶及饱和核密度
2.2.12 Ostwald的台阶法则
第三章 晶体生长
3.1 粗糙晶体面的垂直生长
3.2 平坦表面的层状生长
3.2.1 台阶推进速率
3.2.2 F面的螺旋生长
3.2.3 从二维成核中的生长
3.2.4 表面各向异性的影响——Si(001)邻位面的生长
3.2.5 Ehrlich-Schwoebel 势垒和它的后果
3.3 晶体生长的动力学理论
3.4 晶体生长中的一个经典实验
第四章 外延生长
4.1 基本概念和定义
4.2 外延界面的结构和能量
4.2.1 边界区域
4.2.2 外延界面的模型
4.2.3 失配位错
4.2.4 薄覆盖层的Frank-van der Merwe模型
4.2.5 拥有非胡克原子间力的一维模型
4.2.6 厚的附生的van de Merwe模型
4.2.7 增厚附生层
4.2.8 Volterra方法
4.3 生长外延薄膜的机制
4.3.1 生长模式的分类
4.3.2 实验证据
4.3.3 一般趋势
4.3.4 外延的热力学
4.3.5 外延薄膜生长的动力学
4.3.6 外延生长中的表面活性剂
参考文献
索引
译者后记
