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微电子器件原理与模型 陈志铭 王业亮 张子岳 丁英涛 高等教育出版社
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商品名称:微电子器件原理与模型
ISBN:9787895660427
出版社:高等教育出版社
出版年月:2024-12
作者:陈志铭 王业亮 张子岳 丁英涛
定价:30.00
页码
装帧
版次:0版0次
字数:200
开本
套装书:否

2.数字教材使用说明 (2).jpg

云创数字教材平台:https://etextbook.hep.com.cn/ 


  集成电路是现代信息社会的重要基石,以晶体管为基础的微电子器件是集成电路的基本组成单元,广泛应用于计算机、通信等诸多领域。本书从P-N结二极管开始,在系统介绍微电子器件的工作原理、性能参数等核心知识的基础上,结合具体的器件模型,回归本质,深入探讨了双极型晶体管、场效应管等微电子器件的直流、频率等基本特性。同时,本书提供了大量思考题和习题,便于读者检验所学知识的掌握程度。

  本书可作为高等学校相关专业的教学用书,同时适合从事微电子器件研发的科技人员阅读使用。

丛书序言
前言
第一章 半导体器件的核心——P-N结
  1.1 P-N结的平衡状态
  1.2 P-N结的正向电压与电流特性
  1.3 P-N结的反向电压与电流特性
  1.4 P-N结的温度特性
  1.5 P-N结的电容
  1.6 P-N结交流特性
  1.7 P-N结的开关特性
  1.8 P-N结击穿特性
  本章小结
  思考题
  习题
第二章 晶体管的直流特性
  2.1 晶体管的基本结构及杂质分布
  2.2 晶体管的放大机理
  2.3 均匀基区晶体管的电流-电压方程
  2.4 均匀基区晶体管的电流增益
  2.5 缓变基区晶体管
  2.6 晶体管的反向电流
  2.7 晶体管的击穿电压
  2.8 晶体管的直流特性曲线
  2.9 基极电阻
  本章小结
  思考题
  习题
第三章 晶体管的频率特性
  3.1 晶体管的频率参数
  3.2 晶体管的交流等效电路
  3.3 共基极电流放大系数及其截止频率
  3.4 共发射极短路电流放大系数及其截止频率
  3.5 晶体管的高频功率增益
  本章小结
  思考题
  习题
第四章 晶体管的功率特性
  4.1 集电极最大工作电流
  4.2 大注入效应对电流放大系数的影响
  4.3 基区扩展效应
  4.4 发射极电流集边效应
  4.5 发射极单位周长电流容量—线电流密度
  4.6 晶体管的最大耗散功率
  4.7 二次击穿和安全工作区
  本章小结
  思考题
  习题
第五章 晶体管的开关特性
  5.1 概述
  5.2 电荷控制模型
  5.3 开关晶体管的过渡过程及开关参数
  5.4 开关过程的定量分析
  本章小结
  思考题
  习题
第六章 晶体管的噪声特性
  6.1 晶体管的噪声和噪声系数
  6.2 晶体管的噪声来源
  6.3 双极型晶体管的噪声
  6.4 晶体管的噪声系数
  本章小结
  思考题
  习题
第七章 MOS场效应晶体管
  7.1 场效应晶体管的主要特点
  7.2 MOSFET的工作原理和静态特性
  7.3 MOSFET的电流与电压特性
  7.4 MOSFET的温度特性
  7.5 MOSFET的击穿特性
  7.6 MOSFET的交流小信号参数
  7.7 MOSFET的频率特性和噪声特性
  7.8 MOSFET的功率特性
  7.9 MOSFET的短沟道效应
  本章小结
  思考题
  习题
第八章 结型场效应晶体管
  8.1 基本工作原理
  8.2 JFET的直流特性分析
  8.3 JFET的交流特性
  8.4 短沟道JFET中的强场迁移率调制效应
  本章小结
  思考题
  习题

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