丛书序言
前言
第一章 半导体器件的核心——P-N结
1.1 P-N结的平衡状态
1.2 P-N结的正向电压与电流特性
1.3 P-N结的反向电压与电流特性
1.4 P-N结的温度特性
1.5 P-N结的电容
1.6 P-N结交流特性
1.7 P-N结的开关特性
1.8 P-N结击穿特性
本章小结
思考题
习题
第二章 晶体管的直流特性
2.1 晶体管的基本结构及杂质分布
2.2 晶体管的放大机理
2.3 均匀基区晶体管的电流-电压方程
2.4 均匀基区晶体管的电流增益
2.5 缓变基区晶体管
2.6 晶体管的反向电流
2.7 晶体管的击穿电压
2.8 晶体管的直流特性曲线
2.9 基极电阻
本章小结
思考题
习题
第三章 晶体管的频率特性
3.1 晶体管的频率参数
3.2 晶体管的交流等效电路
3.3 共基极电流放大系数及其截止频率
3.4 共发射极短路电流放大系数及其截止频率
3.5 晶体管的高频功率增益
本章小结
思考题
习题
第四章 晶体管的功率特性
4.1 集电极最大工作电流
4.2 大注入效应对电流放大系数的影响
4.3 基区扩展效应
4.4 发射极电流集边效应
4.5 发射极单位周长电流容量—线电流密度
4.6 晶体管的最大耗散功率
4.7 二次击穿和安全工作区
本章小结
思考题
习题
第五章 晶体管的开关特性
5.1 概述
5.2 电荷控制模型
5.3 开关晶体管的过渡过程及开关参数
5.4 开关过程的定量分析
本章小结
思考题
习题
第六章 晶体管的噪声特性
6.1 晶体管的噪声和噪声系数
6.2 晶体管的噪声来源
6.3 双极型晶体管的噪声
6.4 晶体管的噪声系数
本章小结
思考题
习题
第七章 MOS场效应晶体管
7.1 场效应晶体管的主要特点
7.2 MOSFET的工作原理和静态特性
7.3 MOSFET的电流与电压特性
7.4 MOSFET的温度特性
7.5 MOSFET的击穿特性
7.6 MOSFET的交流小信号参数
7.7 MOSFET的频率特性和噪声特性
7.8 MOSFET的功率特性
7.9 MOSFET的短沟道效应
本章小结
思考题
习题
第八章 结型场效应晶体管
8.1 基本工作原理
8.2 JFET的直流特性分析
8.3 JFET的交流特性
8.4 短沟道JFET中的强场迁移率调制效应
本章小结
思考题
习题
