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【全4本】新兴领域“十四五”集成电路系列教材
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商品名称:【全4本】新兴领域“十四五”集成电路系列教材
ISBN:9787040638912
出版社:高等教育出版社
出版年月
作者:浙江大学电工电子基础教学中心电子技术课程组编 张德华 周箭 祁才君 林平主编、贾新章、刘红侠、游海龙、恩云飞、郑雪峰、孙肖子 潘伟涛、浙江大学电工电子基础教学中心电子技术课程组编 林平 蔡忠法 沈红 张德华 主编
定价:200.30
页码:320
装帧:平装
版次
字数:490 千字
开本:16开
套装书:否

本书是集成电路新兴领域“十四五”高等教育教材,是在原普通高等教育“十一五”国家级规划教材以及“面向21世纪课程教材”《集成电子技术基础教程》(第1、2、3版)的基础上,经过不断地教学实践,总结了浙江大学多年来对“电子技术基础”课程的教学改革经验,并参照教育部电子电气基础课程教学指导分委员会制订的教学基本要求修订而成的。修订后的教材继续保留原教材“模数”紧密结合的特点,以电子技术的集成化发展趋势为主线,贯穿教材全部内容。全书结构上分上、下册,总共4篇。下册包含第三、四篇。第三篇为数字电路分析与设计,共10章,内容包括数字逻辑基础、集成逻辑门电路、组合逻辑电路、触发器和触发器应用、时序逻辑电路、555集成定时器、存储器、数模和模数转换电路、可编程逻辑器件基础、大规模可编程逻辑器件和数字系统的设计。第四篇为电子系统设计示例,共2章,内容包括电子系统设计基础和电子系统设计示例。

本书为新形态教材。纸质教材呈现集成电子技术内容总体体系,同时将各个重要知识点视频、各章重点和难点、自测题和习题及解答、模拟试卷等作为数字资源,方便读者学习。

本书可作为高等学校电气类、自动化类、电子信息类专业电子技术基础课程教材,也可供远程教育、成人和职业教育相关专业选用,同时可作为线上课程学习的主要参考书。

前辅文
第三篇 数字电路分析与设计
  第1章 数字逻辑基础
   1.1 数字电路基本概念
   1.2 逻辑代数
   1.3 逻辑函数的化简
   习题一
  第2章 集成逻辑门电路
   2.1 集成逻辑门电路的结构和工作原理
   2.2 集成逻辑门电路的外部特性
   2.3 门电路使用注意事项
   习题二
  第3章 组合逻辑电路
   3.1 基本组合逻辑电路的分析和设计
   3.2 编码器与译码器
   3.3 数据选择器与分配器
   3.4 加法器与数值比较器
   3.5 奇偶校验器的组成和应用
   习题三
  第4章 触发器和触发器应用
   4.1 触发器
   4.2 触发器的应用
   习题四
  第5章 时序逻辑电路
   5.1 时序逻辑电路的结构和分类
   5.2 时序逻辑电路分析
   5.3 时序逻辑电路设计
   5.4 中规模集成计数器
   习题五
  第6章 555集成定时器
   6.1 555集成定时器的结构
   6.2 555集成定时器的典型应用
   习题六
  第7章 存储器
   7.1 存储器的分类
   7.2 SRAM存储器
   7.3 ROM存储器
   习题七
  第8章 数模和模数转换电路
   8.1 数模转换电路
   8.2 模数转换电路
   *8.3 电压频率(VF)转换电路
   *8.4 频率电压(FV)转换电路
   习题八
  第9章 可编程逻辑器件基础
   9.1 可编程逻辑器件基本原理
   9.2 简明VHDL语言
   9.3 组合逻辑电路的VHDL设计
   9.4 时序逻辑电路的VHDL设计
   习题九
  第10章 大规模可编程逻辑器件和数字系统的设计
   10.1 大规模可编程逻辑器件的分类和结构
   10.2 复杂数字系统的设计
   10.3 设计示例
   习题十
第四篇 电子系统设计示例
  第11章 电子系统设计基础
   11.1 电子系统的组成
   11.2 电子系统设计过程
   11.3 电子系统设计方法
  第12章 电子系统设计示例
   12.1 数字化语音存储与回放系统设计
   12.2 数控直流稳压电源设计
   12.3 数控信号源设计
参考文献

本书被列入集成电路新兴领域“十四五”高等教育教材。

全书共7章,以硅微电子器件为中心,在介绍可靠性基本概念、梳理可靠性基本理念的基础上,重点介绍微电路可靠性设计技术、可靠性的工艺保证要求和控制方法、微电路可靠性试验与评价,以及支撑这些技术的可靠性数学、可靠性物理和失效分析技术。

本书同时介绍了氮化镓器件的主要失效机理和可靠性设计对策。

本书提供了重要工艺技术视频,读者可扫码观看。

本书可作为集成电路和设计与集成系统、微电子科学与工程专业的本科生和研究生教材,也可作为从事芯片设计、集成电路制造、可靠性试验和失效分析等集成电路领域的工程技术人员的参考书。

前辅文
第1章 可靠性概述
  1.1 可靠性定义和基本概念
   1.1.1 可靠性的定义及对其的解读
   1.1.2 与可靠性相关的名词术语
   1.1.3 浴盆曲线
  1.2 可靠性等级划分以及研制应用过程对可靠性的影响
   1.2.1 器件可靠性定量评价
   1.2.2 器件可靠性等级划分
   1.2.3 器件研制应用全过程对可靠性的影响
  1.3 基于可靠性基本理念的可靠性保证与评价技术
   1.3.1 保证/评价产品质量可靠性常规方法存在的问题
   1.3.2 关于质量可靠性的基本理念
   1.3.3 保证和评价产品可靠性的技术途径
  1.4 本书内容安排
  思考题与习题
第2章 可靠性数学
  2.1 可靠性的数量特征
   2.1.1 失效概率密度f(t)与F(t)以及R(t)的关系
   2.1.2 失效率λ(t)与可靠度R(t)的关系
   2.1.3 寿命与可靠度R(t)的关系
   2.1.4 总结:可靠性各主要特征量之间的关系
  2.2 微电子器件常见的失效分布
   2.2.1 正态分布
   2.2.2 对数正态分布
   2.2.3 威布尔分布
   2.2.4 指数分布
   2.2.5 描述计点值数据的泊松分布
   2.2.6 描述计件值数据的二项分布
  2.3 试验数据的描述与分布参数提取
   2.3.1 直方图
   2.3.2 概率纸与经验累积分布函数
   2.3.3 基于试验数据的分布参数点估计
   2.3.4 分布拟合与参数提取
  2.4 可靠性模型
   2.4.1 可靠性框图与可靠性模型
   2.4.2 串联系统模型
   2.4.3 并联系统模型
   2.4.4 混联系统
  思考题与习题
第3章 可靠性物理
  3.1 栅氧化层的经时击穿(TDDB)
   3.1.1 氧化层电荷
   3.1.2 隧穿电流与TDDB
   3.1.3 TDDB模型
   3.1.4 TDDB试验评价
  3.2 热载流子注入(HCI)
   3.2.1 HCI对器件性能的影响
   3.2.2 HCI模型
   3.2.3 应对HCI的LDD结构
  3.3 负偏压温度不稳定性
   3.3.1 NBTI机理和特点
   3.3.2 NBTI模型
   3.3.3 针对NBTI的改进措施
  3.4 电迁移(EM)
   3.4.1 EM物理过程分析
   3.4.2 EM模型
   3.4.3 抗电迁移的措施
  3.5 CMOS电路的闩锁效应
   3.5.1 闩锁效应物理过程
   3.5.2 闩锁效应检测
   3.5.3 抑制闩锁效应的途径
  3.6 静电放电损伤
   3.6.1 ESD与ESD损伤相关概念
   3.6.2 ESDS分级与ESD试验
   3.6.3 ESD防护措施
  3.7 氮化镓器件电应力退化机理
   3.7.1 关态应力下的退化
   3.7.2 开态应力下的退化
   3.7.3 电流崩塌效应
   3.7.4 高温反偏(HTRB)效应
   3.7.5 射频应力下的退化
  3.8 辐射效应
   3.8.1 辐射环境
   3.8.2 辐射效应
   3.8.3 氮化镓器件的总剂量效应
   3.8.4 氮化镓器件的位移损伤效应
   3.8.5 氮化镓器件的单粒子效应
  3.9 软错误
   3.9.1 软错误产生机理
   3.9.2 软错误的影响因素
   3.9.3 如何应对软错误
  3.10 水汽的危害
   3.10.1 水汽的来源与作用
   3.10.2 铝布线的腐蚀
   3.10.3 外引线的腐蚀
   3.10.4 电特性退化
   3.10.5 改进措施
  思考题与习题
第4章 失效分析
  4.1 失效分析的意义和作用
   4.1.1 失效的基本类型
   4.1.2 失效分析的目的和意义
   4.1.3 失效分析技术
   4.1.4 失效分析技术面临的挑战
  4.2 微电子器件主要失效模式及失效机理
   4.2.1 失效模式与失效机理
   4.2.2 主要失效机理的影响
  4.3 失效分析的一般程序
   4.3.1 失效分析的基本内容
   4.3.2 失效分析的一般流程
  4.4 微分析技术
   4.4.1 X射线透视
   4.4.2 扫描声学显微镜分析
   4.4.3 聚焦离子束系统
   4.4.4 扫描电子显微镜及X射线能谱仪分析
   4.4.5 俄歇电子能谱仪
   4.4.6 二次离子质谱
   4.4.7 透射电子显微镜分析
   4.4.8 显微红外热像仪
   4.4.9 光发射显微镜分析
   4.4.10 内部气氛分析
  4.5 微电子器件典型失效分析案例
   4.5.1 塑封料与芯片界面分层导致焊点拉脱失效
   4.5.2 静电和过电(ESD/EOS)损伤导致击穿失效
   4.5.3 热设计不当导致芯片焊接脱落
   4.5.4 内引线键合点腐蚀失效
   4.5.5 管壳烧结空洞导致热烧毁失效
  思考题与习题
第5章 可靠性设计
  5.1 可靠性设计基本概念
   5.1.1 微电路可靠性设计技术
   5.1.2 微电路可靠性设计的特点
  5.2 电路级可靠性设计技术
   5.2.1 降额设计
   5.2.2 简化设计
   5.2.3 冗余设计
   5.2.4 灵敏度分析
   5.2.5 最坏情况分析与鲁棒性设计
   5.2.6 动态设计
   5.2.7 蒙特卡洛分析与成品率分析
  5.3 可靠性模拟
   5.3.1 可靠性模拟的作用
   5.3.2 基于可靠性模拟的电路寿命预计
   5.3.3 电路特性退化的可靠性模拟
  思考题与习题
第6章 可靠性的工艺保证
  6.1 可靠性工艺保证的含义与关键技术
   6.1.1 “可靠性工艺保证”的基本概念
   6.1.2 “可靠性工艺保证”的关键技术
  6.2 工艺参数监测技术
   6.2.1 概述
   6.2.2 监测方块电阻的测试图
   6.2.3 测量金属-半导体接触电阻的测试图
   6.2.4 标准评价电路SEC
   6.2.5 提取可靠性特征参数的TCV
   6.2.6 PM测试图的使用与数据处理
  6.3 Cpk评价与6σ设计
   6.3.1 工序能力与工序能力指数Cp
   6.3.2 实际工序能力指数Cpk
   6.3.3 Cpk的应用以及微电路工艺特殊Cpk计算问题
   6.3.4 6σ设计
  6.4 试验设计(DOE)与工艺优化
   6.4.1 DOE的含义和实施流程
   6.4.2 确定关键因子
   6.4.3 “最优”条件范围的搜索
   6.4.4 试验设计与工艺试验
   6.4.5 建立工艺模型
   6.4.6 工艺条件优化
  6.5 统计过程控制(SPC)
   6.5.1 SPC与控制图
   6.5.2 确定控制限的“3σ法则”
   6.5.3 工艺过程受控/失控的判断规则
   6.5.4 常规控制图
   6.5.5 适用于微电路生产的特殊控制图
  思考题与习题
第7章 可靠性试验与评价
  7.1 可靠性试验概述
   7.1.1 可靠性试验的作用与关键问题
   7.1.2 微电子器件可靠性试验标准
   7.1.3 单项试验项目作用与分类
  7.2 可靠性筛选
   7.2.1 集成电路筛选试验的作用与要求
   7.2.2 筛选试验的优化
   7.2.3 基于威布尔分布拟合的老炼时间优化
  7.3 鉴定与质量一致性检验
   7.3.1 “鉴定”与“质量一致性检验”关系
   7.3.2 GJB548规定的“鉴定与质量一致性检验”试验项目
   7.3.3 GJB7400规定的TCV评价
  7.4 加速寿命试验与数据处理
   7.4.1 加速寿命试验
   7.4.2 指数分布情况寿命/失效率的评价
   7.4.3 基于威布尔分布的累积失效概率评价
   7.4.4 可靠性模型参数的优化提取
  7.5 抽样技术
   7.5.1 抽样检验作用和风险
   7.5.2 接收概率与抽样特性
   7.5.3 抽样方案的制订
   7.5.4 计量值抽样方法
  7.6 集成电路出厂产品质量评价
   7.6.1 微电路参数一致性筛选
   7.6.2 成品率与失效模式分布波动性评价与筛选
   7.6.3 出厂产品平均质量水平PPM评价
  思考题与习题
参考文献

本书主要面向电子信息类非微电子专业学生的入门性质的课程,书中将从电子系统设计者的视角,介绍集成电路全产业链各个环节的基本原理和设计基础。本书被列入集成电路新兴领域“十四五”高等教育教材。

全书内容包括:绪论、集成电路制造工艺基础及版图设计、集成电路中的元器件、模拟集成电路设计——信号链与电源管理、数字集成电路设计——单元电路和系统设计、集成电路测试与封装技术基础、集成电路设计流程及EDA 技术。教材融入了一线教师长期从事教学和芯片开发的研究成果。

本书可作为电子信息类、计算机类、仪器仪表类等专业的本科生和研究生学习集成电路设计的教材和教学参考书,也可供从事电子系统设计的工程技术人员参考。

前辅文
第1章 绪论
  1.1 集成电路的概念与特征
  1.2 集成电路的发展规律
   1.2.1 从历史看电子技术和集成电路的发展
   1.2.2 从工艺技术看集成电路的发展
   1.2.3 从新材料角度看集成电路的发展
  1.3 集成电路的分类
   1.3.1 按功能分类
   1.3.2 按结构形式和实现方法分类
   1.3.3 按生产目的分类
   1.3.4 按有源器件和生产工艺类型分类
   1.3.5 按实现方法分类
  1.4 对集成电路设计的要求
   1.4.1 集成电路的性能
   1.4.2 集成电路设计的特殊性以及对设计师的要求
  1.5 集成电路的典型应用领域
   1.5.1 物联网(IoT)芯片
   1.5.2 人工智能(AI)芯片
   1.5.3 新能源及智能汽车集成电路芯片
  思考题与习题
第2章 集成电路制造工艺基础及版图设计
  2.1 集成电路材料及工艺概述
   2.1.1 集成电路中的材料
   2.1.2 集成电路制造工艺概述
  2.2 基本的半导体制造工艺
   2.2.1 多晶硅
   2.2.2 氧化工艺
   2.2.3 掺杂工艺
   2.2.4 掩模的制版工艺
   2.2.5 光刻工艺
   2.2.6 金属化工艺
  2.3 CMOS工艺基础
   2.3.1 自对准技术和标准硅栅工艺
   2.3.2 N阱CMOS工艺简介
   2.3.3 双阱工艺及SOI CMOS工艺简介
   2.3.4 FinFET、GAAFET等CMOS工艺简介
  2.4 版图设计及版图设计规则
   2.4.1 版图设计概述
   2.4.2 版图设计规则的作用
   2.4.3 版图设计规则的描述
  2.5 版图检查
   2.5.1 设计规则检查(DRC)
   2.5.2 电学规则检查(ERC)
   2.5.3 版图参数提取(LPE)
   2.5.4 版图与电路图一致性对照检查(LVS)
  思考题与习题
第3章 集成电路中的元器件
  3.1 MOS场效应管(MOSFET)的结构及符号
   3.1.1 MOS管符号
   3.1.2 NMOS管的简化结构
   3.1.3 N阱及PMOS管
  3.2 MOS管的电流电压特性及电流方程
   3.2.1 MOS管的转移特性及输出特性
   3.2.2 MOS管的电流方程(以增强性NMOS为例)
   3.2.3 MOS管的输出电阻
   3.2.4 MOS管的跨导gm
   3.2.5 体效应与背栅跨导
   3.2.6 MOS管的特征频率fT
   3.2.7 MOS管特性的三个非理想因素——亚阈区、表面迁移退化与速度饱和效应
   3.2.8 MOS管的并联与串联
  3.3 集成电路中的无源元件
   3.3.1 集成电容
   3.3.2 集成电阻
   3.3.3 集成电感
   3.3.4 互连线
  3.4 工艺角概念
  3.5 MOS管的SPICE模型参数
  思考题与习题
第4章 模拟集成电路设计I——信号链篇
  4.1 引言
  4.2 MOS电流源及CMOS运算放大器
   4.2.1 MOS电流源
   4.2.2 CMOS集成运算放大器电路举例
   4.2.3 CMOS集成运算放大器设计举例
  4.3 A/D转换器
   4.3.1 A/D转换器的原理、特性及指标
   4.3.2 A/D转换器电路举例
  4.4 D/A转换器
   4.4.1 D/A转换器的原理、特性及技术指标
   4.4.2 D/A转换器电路举例
  4.5 锁相环(PLL)
   4.5.1 锁相环的作用
   4.5.2 模拟锁相环原理及应用
   4.5.3 锁相环的性能指标
   4.5.4 模拟锁相环电路原理
   4.5.5 延迟锁相环
   4.5.6 数字锁相环
  4.6 射频集成电路简介
   4.6.1 射频前端的电路构成
   4.6.2 射频前端电路的特殊性与电路举例
  思考题与习题
第5章 模拟集成电路设计II——电源管理篇
  5.1 引言
   5.1.1 多电压域中的电源管理
   5.1.2 电源管理芯片重要参数
  5.2 电压基准源设计
   5.2.1 零阶齐纳二极管电压基准源
   5.2.2 一阶带隙电压基准源
   5.2.3 二阶曲率校正带隙电压基准源
   5.2.4 修调网络分析
  5.3 低压差线性稳压器设计
   5.3.1 模拟LDO稳压器基本结构
   5.3.2 数字LDO稳压器基本结构
  5.4 DC-DC开关稳压器设计
   5.4.1 开关稳压器的拓扑结构
   5.4.2 开关稳压器的功率级元件
   5.4.3 DC-DC开关稳压器的反馈控制架构
  思考题与习题
第6章 数字集成电路设计I——单元电路篇
  6.1 MOS开关及CMOS传输门
   6.1.1 单管MOS开关的局限性
   6.1.2 CMOS传输门
  6.2 CMOS反相器
   6.2.1 反相器电路
   6.2.2 CMOS反相器的直流传输特性
   6.2.3 CMOS反相器的噪声容限
   6.2.4 CMOS反相器的门延迟、级联以及互连线产生的延迟
   6.2.5 CMOS反相器功耗
  6.3 全互补CMOS集成电路
   6.3.1 CMOS与非门设计
   6.3.2 CMOS或非门设计
   6.3.3 CMOS与或非门和或与非门设计
   6.3.4 三态逻辑门电路设计
   6.3.5 CMOS异或门设计
   6.3.6 CMOS同或门设计
   6.3.7 CMOS数据选择器
   6.3.8 布尔函数逻辑——传输门的又一应用
  6.4 改进的CMOS逻辑电路
   6.4.1 伪NMOS逻辑(pseudo NMOS logic)电路
   6.4.2 动态CMOS逻辑电路(预充电CMOS电路)
   6.4.3 多米诺逻辑(domino logic)
  6.5 移位寄存器、锁存器、触发器、I/O单元
   6.5.1 动态CMOS移位寄存器
   6.5.2 锁存器
   6.5.3 触发器(flip-flops)
   6.5.4 存储单元
   6.5.5 通用I/O单元
  思考题与习题
第7章 数字集成电路设计II——系统设计篇
  7.1 基本数字运算电路设计
   7.1.1 二进制数字加法器基本单元
   7.1.2 N位并行加法器
   7.1.3 移位操作和移位器(shifter)
  7.2 算术逻辑单元(arithematic logic unit,ALU)
   7.2.1 运算数值编码和算术运算单元
   7.2.2 逻辑和移位运算单元
   7.2.3 运算结果的状态检测
   7.2.4 算术逻辑单元(ALU)的电路构成
  7.3 二进制乘法器
   7.3.1 二进制乘法运算及点图
   7.3.2 移位式乘法器
   7.3.3 并行乘法器电路结构
   7.3.4 部分积的产生方法
   7.3.5 部分积的高效求和
   7.3.6 乘法-累加单元(multiply-accumulator unit,MAC)
  7.4 浮点数运算单元
   7.4.1 浮点数表示方法与IEEE标准化浮点数
   7.4.2 浮点数加/减法器电路结构
   7.4.3 浮点数乘法及其电路结构
  7.5 数据缓存电路
   7.5.1 双端口存储器(DPRAM)
   7.5.2 先进先出存储器(FIFO)
   7.5.3 FIFO的典型应用——码速率调整电路
  7.6 算法流程控制电路——状态转移图与有限状态机
   7.6.1 有限状态机和状态转移图
   7.6.2 Moore和Mealy状态机
   7.6.3 有限状态机的电路设计
  7.7 片上系统(SoC)的设计
   7.7.1 片上系统(SoC)的结构形式
   7.7.2 片上系统(SoC)的设计方法
   7.7.3 片上系统(SoC)设计实例
  7.8 数字集成电路系统设计要点总结
  思考题与习题
第8章 集成电路测试与封装技术基础
  8.1 集成电路测试
   8.1.1 集成电路测试组成
   8.1.2 集成电路测试概念
   8.1.3 测试码的生成
   8.1.4 故障模拟
   8.1.5 可测性设计方法
   8.1.6 其他集成电路测试
  8.2 集成电路封装
   8.2.1 集成电路封装层次与分类
   8.2.2 芯片封装工艺流程
   8.2.3 系统级封装工艺
   8.2.4 先进封装技术
  思考题与习题
第9章 集成电路设计流程及EDA技术
  9.1 EDA概念及发展简况
   9.1.1 EDA起源及产生必要性
   9.1.2 EDA技术的发展现状
  9.2 数字集成电路设计流程
   9.2.1 系统方案的设计
   9.2.2 功能电路设计与验证
   9.2.3 逻辑综合与验证
   9.2.4 物理设计与验证
   9.2.5 签收与芯片测试
  9.3 数字集成电路设计EDA支持工具
   9.3.1 HDL及设计工具
   9.3.2 仿真工具
   9.3.3 逻辑综合工具
   9.3.4 物理设计工具
   9.3.5 其他工具
  9.4 模拟集成电路设计流程及EDA支持工具
   9.4.1 设计流程概述
   9.4.2 设计工具
   9.4.3 仿真工具
   9.4.4 版图设计与验证工具
  9.5 EDA新技术及发展趋势
  思考题与习题
参考文献
插图

本书是集成电路新兴领域“十四五”高等教育教材,是在原普通高等教育“十一五”国家级规划教材以及“面向21世纪课程教材”《集成电子技术基础教程》(第1、2、3版)的基础上,经过不断的教学实践,总结了浙江大学多年来对“电子技术基础”课程的教学改革经验,并参照教育部电子电气基础课程教学指导分委员会制订的教学基本要求修订而成的。修订后的教材继续保留原教材“模数”紧密结合的特点,以电子技术的集成化发展趋势为主线,贯穿教材全部内容。全书结构上分上、下册,总共4篇。上册包含第一、二两篇。第一篇为电子系统与电子电路基础,共有5章,内容包括初识电子系统,集成运算放大器及基本应用,半导体器件结构、特性和模型,晶体管基本放大电路,基本放大电路的频率特性。第二篇为模拟集成电路及其应用,共有6章,内容包括集成运算放大器,负反馈放大电路,集成运放组成的典型应用电路,信号发生电路,功率变换电路,常用模拟集成电路及其应用。

本书为新形态教材。纸质教材呈现集成电子技术内容总体体系,同时将各个重要知识点视频、各章重点和难点、自测题和习题及解答、模拟试卷等作为数字资源,方便读者学习。

本书可作为高等学校电气类、自动化类、电子信息类专业电子技术基础课程教材,也可供远程教育、成人和职业教育相关专业选用,同时可作为线上课程学习的参考书。

前辅文
第一篇 电子系统与电子电路基础
本篇导读
  第1章 初识电子系统
   1.1 电子系统的组成和类型
   1.2 语音录制与回放系统简介
   习题
  第2章 集成运算放大器及基本应用
   2.1 放大电路模型及主要性能指标
   2.2 集成运算放大器
   2.3 理想运算放大器构成的基本运算电路
   习题
  第3章 半导体器件结构、特性和模型
   3.1 半导体与PN结
   3.2 半导体二极管
   3.3 双极型晶体管
   3.4 场效应晶体管
   习题
  第4章 晶体管基本放大电路
   4.1 放大电路基础
   4.2 放大电路的基本性能指标计算
   4.3 放大电路的三种基本组态
   4.4 放大电路的动态分析
   4.5 恒流源电路及其应用
   4.6 多级放大电路的分析
   习题
  第5章 基本放大电路的频率特性
   5.1 频率响应概述
   5.2 晶体管的高频小信号模型
   5.3 放大电路的频率响应
   *5.4 基本放大电路的瞬态响应
   习题
第二篇 模拟集成电路及其应用
本篇导读
  第6章 集成运算放大器
   6.1 集成运算放大器内部典型结构
   6.2 集成运放输入级——差分放大电路
   6.3 集成运放中间级放大电路分析
   6.4 集成运放输出级——OCL电路
   6.5 集成运放内部电路分析
   6.6 集成运放的主要性能指标
   习题
  第7章 负反馈放大电路
   7.1 反馈的基本概念与增益函数
   7.2 反馈的分类
   7.3 负反馈放大电路的四种基本组态
   7.4 负反馈对放大电路性能的影响
   7.5 分立元件负反馈放大电路近似分析
   7.6 负反馈放大电路的稳定性分析
   习题
  第8章 集成运放组成的典型应用电路
   8.1 集成运放构成的基本运算与变换电路
   8.2 有源滤波电路
   8.3 电压比较器
   习题
  第9章 信号发生电路
   9.1 产生正弦振荡的条件
   9.2 RC正弦波振荡器
   9.3 LC正弦波振荡器
   9.4 石英晶体振荡器
   9.5 非正弦波发生器
   习题
  第10章 功率变换电路
   10.1 功率放大电路的特点和基本类型
   10.2 功率放大电路的分析计算
   10.3 集成功率放大器
   10.4 整流、滤波、稳压电路
   10.5 线性集成稳压电源
   习题
  第11章 常用模拟集成电路及其应用
   11.1 仪用放大器及其应用
   11.2 隔离放大器及其应用
   11.3 模拟乘法器及其应用
   11.4 单片集成函数发生器及其应用
   11.5 开关电容滤波器及其应用
   11.6 集成开关稳压器及其应用
   11.7 集成锁相环及其应用
   习题
参考文献
名词术语汉英对照

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