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微纳集成电路制造工艺 戴显英 赵杰 毛维 高等教育出版社
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商品名称:微纳集成电路制造工艺
ISBN:9787040640380
出版社:高等教育出版社
出版年月
作者:戴显英 赵杰 毛维
定价:46.00
页码:292
装帧:平装
版次:1
字数:420 千字
开本:16开
套装书:否

本书为集成电路新兴领域“十四五”高等教育教材。本书共五篇23章。第一篇介绍集成电路制造器件基础,包括MOSFET器件、功率器件、逻辑芯片和存储芯片;第二篇介绍集成电路制造工艺设计基础,包括工艺设计套件、光刻版技术、光学邻近修正(OPC)、集成电路工艺及器件仿真工具TCAD;第三篇介绍集成电路制造基本工艺,包括光刻工艺、刻蚀工艺、薄膜工艺、掺杂工艺、清洗工艺与化学机械研磨;第四篇介绍集成电路制造工艺集成技术,包括阱工艺、浅槽隔离工艺、栅极工艺、源漏工艺、金属硅化物工艺、接触孔/通孔工艺和金属互连工艺;第五篇介绍集成电路制造后端工艺,包括晶圆测试、封装技术、品质认证及智慧制造。

本书的特色是结合了集成电路制造工程实践中遇到的实际问题及其解决方案,使读者能够深入理解和掌握集成电路工艺实现的各个环节。

本书可作为集成电路设计与集成系统、微电子科学与工程专业高年级本科生和研究生的教材,也可作为从事集成电路设计和研发的技术人员的参考书。

前辅文
第一篇 集成电路制造器件基础
  第1章 MOSFET器件
   1.1 MOSFET器件工作原理
   1.2 MOSFET器件电流特性简介
   1.3 短沟道MOSFET器件效应
   小结
   思考与习题
  第2章 功率器件
   2.1 功率器件概述
   2.2 功率MOSFET器件
   2.3 VDMOS功率器件
   小结
   思考与习题
  第3章 逻辑芯片
   3.1 逻辑芯片概述
   3.2 反相器
   3.3 静态随机存取存储器(SRAM)
   小结
   思考与习题
  第4章 存储芯片
   4.1 存储芯片概述
   4.2 非易失性存储器件(NVM)工作原理
   小结
   思考与习题
第二篇 集成电路制造工艺设计基础
  第5章 工艺设计套件
   5.1 PDK架构
   5.2 PDK技术发展及生态构建
   小结
   思考与习题
  第6章 光刻版技术
   6.1 光刻版技术概述
   6.2 光刻版流片流程
   6.3 光刻版技术发展及生态构建
   小结
   思考与习题
  第7章 光学邻近修正(OPC)
   7.1 OPC基本介绍
   7.2 OPC技术开发流程
   7.3 OPC技术发展及生态构建
   7.4 集成电路制造计算光刻(OPC)虚拟仿真实验
   小结
   思考与习题
  第8章 集成电路工艺及器件仿真工具TCAD
   8.1 集成工艺仿真系统Sentaurus Process
   8.2 器件结构编辑工具Sentaurus StructureEditor
   8.3 器件仿真工具Sentaurus Device
   8.4 器件仿真调阅工具Sentaurus Visual
   8.5 集成电路虚拟制造系统Sentaurus Workbench
   小结
   思考与习题
第三篇 集成电路制造基本工艺
  第9章 光刻工艺
   9.1 光刻工艺的三要素
   9.2 光刻工艺的重要性
   9.3 光刻工艺流程及其工艺原理
   9.4 光刻分辨率
   9.5 光刻机
   9.6 曝光光源
   9.7 光刻胶
   9.8 光刻版
   9.9 先进的光刻技术
   小结
   思考与习题
  第10章 刻蚀工艺
   10.1 刻蚀工艺参数
   10.2 湿法刻蚀
   10.3 干法刻蚀
   10.4 先进的原子层刻蚀技术
   小结
   思考与习题
  第11章 薄膜工艺
   11.1 硅的热氧化工艺
   11.2 物理气相淀积工艺
   11.3 化学气相淀积工艺
   11.4 外延工艺
   小结
   思考与习题
  第12章 掺杂工艺
   12.1 硅掺杂基础知识
   12.2 扩散工艺
   12.3 离子注入工艺
   12.4 离子注入损伤与退火
   12.5 离子注入应用
   12.6 先进的离子注入技术
   12.7 离子注入工艺的安全性
   小结
   思考与习题
  第13章 清洗工艺与化学机械研磨
   13.1 清洗工艺技术
   13.2 化学机械研磨
   小结
   思考与习题
第四篇 集成电路制造工艺集成技术
  第14章 阱工艺
   14.1 阱工艺原理和流程
   14.2 阱工艺(参数)考量
   小结
   思考与习题
  第15章 浅槽隔离工艺
   15.1 STI关键工艺
   15.2 STI工艺流程
   小结
   思考与习题
  第16章 栅极工艺
   16.1 MOSFET栅
   16.2 自对准多晶硅栅工艺
   16.3 高k介质金属栅(HKMG)工艺
   小结
   思考与习题
  第17章 源漏工艺
   17.1 轻掺杂漏区
   17.2 晕环离子注入
   17.3 源漏重掺杂
   小结
   思考与习题
  第18章 金属硅化物工艺
   18.1 典型的金属硅化物
   18.2 金属硅化物工艺特性
   18.3 自对准金属硅化物工艺流程
   18.4 金属硅化物技术发展
   小结
   思考与习题
  第19章 接触孔/通孔工艺
   19.1 接触孔/通孔工艺原理与技术特性
   19.2 接触孔/通孔工艺流程
   小结
   思考与习题
  第20章 金属互连工艺
   20.1 金属互连材料特性
   20.2 铝合金互连工艺
   20.3 铜互连大马士革工艺
   20.4 钝化层与铝板工艺
   20.5 新型互连技术及其发展
   小结
   思考与习题
第五篇 集成电路制造后端工艺
  第21章 晶圆测试
   21.1 WAT测试
   21.2 良率测试
   21.3 可靠性测试
   小结
   思考与习题
  第22章 封装技术
   22.1 封装技术概述
   22.2 先进封装技术
   小结
   思考与习题
  第23章 品质认证及智慧制造
   23.1 集成电路FAB品质认证
   23.2 FAB结构及设计
   23.3 集成电路FAB智慧制造
   小结
   思考与习题
参考文献

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